Розрахунок реактивних елементів

Нерівномірність амплітудно-частотної характеристики в межах робочого діапазону частот в реальних підсилювачів складає десяті частки децибела, що досягається за рахунок використання глибоких негативних зворотних зв'язків і спеціальних коригувальних ланцюгів. В навчальному проекті з метою спрощення розрахункової частини величина спотворень трохи завищена, що не позначилося істотно на відмінності розрахункових даних від реальних параметрів елементівсхем лінійних підсилювачів.

Для оцінки спотворень використовують коефіцієнт частотних спотворень М:

, (56)

де К0 — модуль коефіцієнта підсилення в області середніх частот;

Кf - модуль коефіцієнта підсилення на довільній частоті.

В підсилювачі виду рис. 1 спотворення в області нижніх частот виникають за рахунок трансформаторів, конденсаторів ланцюгів міжкаскадного зв'язку і конденсаторів в емітерних колах транзисторів. Якщо задано величину спотворень в області нижніх частот Мн=0,25 дБ то доцільно їх розподілити в такий спосіб: по 0,05 дБ на кожний із трансформаторів, а частину, що залишилася, між усіма чотирма ланцюгами, що спотворюють, розподілити порівно. Сумарна величина спотворень (у децибелах) не повинна перевищувати Мн. Розподіливши спотворення між колами, необхідноїхню оцінку в децибелах замінити абсолютними одиницями відповідно до виразу (56). Також з достатнім ступенем точності можна скористатися наближеною перерахунковою формулою (справедлива тільки для М 2дБ):

(57)

У розрахункові формули підставляються спотворення, виражені тільки в абсолютних одиницях.

Далі починають розрахунок параметрів реактивних елементів схеми.

Індуктивність первинної обмотки вихідного трансформатора L4:

(58)

Гн,

де fн - нижня робоча частота;

МНТ - спотворення, внесені трансформатором на частоті fн.

Індуктивність розсіювання Т2 вибирають орієнтовно:

Ls4=0,005L4 =0,005×7,85=0,039 Гн.

Індуктивність первинної обмотки вхідного трансформатора:

(59)

де Rн экв - еквівалентний опір трансформатора в області нижніх частот.

Отже Гн,

Ls1=0,005L1=0,005×0,3423=0,00171 Гн.

З врахуванням кіл місцевих негативних зворотних зв'язків можна прийняти великі коефіцієнти частотних спотворень при розрахунку перехідних і блокувальних конденсаторів

(60)

де `- прийнятий при розподілі спотворень коефіцієнт частотних спотворень, без врахування ланцюгів ЗЗ, виражений в абсолютних одиницях

;

MН, МНЕ - коефіцієнти частотних спотворень відповідно за рахунок перехідних кіл і кіл RЕ СЕ;

F=F1=F3 - глибина місцевого НЗЗ.

.

Ємність перехідних конденсаторів

(61)

де RK - опір резистора в ланцюзі колектора попереднього каскаду;

Rвх - вхідний опір наступного каскаду з обліком паралельно включених резисторів базових дільників.

=3,273×10-9 Ф=4,675 нФ,

=0,81×10-10 Ф=0,081 нФ,

Ємність блокувального конденсатора вихідного каскаду

(62)

де - крутизна струму емітера; (63)

- опір джерела сигналу стосовнобази;

RK2=270 Ом - опір резистора в ланцюзі колектора попереднього каскаду;

Rвх5 - вхідний опір каскаду (152 Ом)без врахування ланцюга НЗЗ.

Із формули (32) маємо RE3=125,3 Ом,

Ом,

,

=2,824×10-6 Ф= 2,824 мкФ.



Конденсатор Се в першому каскаді розраховується так же, як і в кінцевому, але в формулі (63) треба замінити на і Rвх V5 на RвхV3 (49).

Для першого каскаду опір джерела сигналу стосовно бази транзистора

Ом (64)

,

=1,617×10-10 Ф= 16,17 нФ.

Фільтр в колі живлення розраховується на основі даних про рівень завад, які попадають в коло живлення, а також з врахуванням коефіцієнта передачі напруги живлення в колі з мінімальним рівнем сигналу.

Ємність високочастотних конденсаторів вибирають так, щоб частота зрізу вхідного та вихідного кола перевищувала верхню робочу частоту fв в 3 – 5 раз:

,

розраховується за формулою (64).

Отже

Ф=2,12 пФ.

;

,

R1 розраховується за формулою (55).

Оберемо

Ф=0,159 нФ,

Ф=0,349 нФ.

Всі діоди в нормальному робочому режимі знаходяться в зачиненому стані. Вони не повинні помітно шунтувати сигнальні ланцюги ємністю р-n переходів. Тому діоди вибираються високочастотні, із прохідною ємністю при зворотному зсуві близько 0,5 пФ, наприклад Д-220.

Додаток.

Характеристики транзисторів КТ315Б

КТ 315 Б

  • ПРИЗНАВАЕМЫЕ НА ТЕРРИТОРИИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
  • Впечатления учителя, 37 лет
  • Геомагнитные поля и эффективность электрофизических технологий
  • Прогнозирование пожарной обстановки в лесу
  • Ответ не получил положительной оценки:
  • Статья 8. Полномочия органов государственной власти субъектов РФ в сфере образования
  • Учебно-методическое обеспечение курса
  • ВЕЛИКИЙ МАСТЕР / Yi dai zong shi
  • Время — это самая тонкая сила, действующая в материальном мире
  • From Wikipedia, the free encyclopedia
  • Глава 17. Я откинула одеяло, села и посмотрела на диван
  • Учебной дисциплины. КАЛЕНДАРНО-ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН
  • Количественные числительные
  • Расчет себестоимости проектируемой противотуманной фары
  • Общая характеристика электромагнитных профилирований.
  • Второй шанс 7 страница
  • Причины появления погрешностей геометрических параметров элементов
  • Производстве СМР.
  • 3 страница. – Возможно. Но тебя удивит, какими отшельниками они живут.
  • Свобода сообщений – цензура – манипуляция сознанием